Б1500А Агилент Семицондуцтор Девице Параметер Анализер / Семицондуцтор Цхарацтерифицатион Систем Маинфраме

Преглед и карактеристике

Кеисигхт Б1500А (Агилент) полупроводнички анализатор уређаја је модуларни инструмент са конфигурацијом од десет слотова који подржава и ИВ и ЦВ мерења и такође брзо пулсирање високог напона. Његов познати, Мицрософт ® Виндовс ® кориснички интерфејс подржава Агилентов софтвер ЕасиЕКСПЕРТ, који пружа нови, интуитивнији приступ карактеризацији уређаја оријентисан на задатке. Због својих изузетно ниске струје, ниског напона и интегрисаних могућности мерења капацитивности, Кеисигхт Б1500А (Агилент) се може користити за широк спектар потреба за карактеризацијом полупроводничких уређаја (ИЦ-ЦАП подржава Б1500А). Такође је одлично решење за карактеризацију непроменљивих меморијских ћелија и карактеризацију уређаја велике брзине (укључујући напредно НБТИ мерење).

 

Карактеристике и предности Кеисигхт Б1500А (Агилент) укључују:

● Супериорне перформансе ИВ мерења: {{0}}.1 фА / 0,5 µВ резолуција мерења

● Карактеристике мерења обухватају једно- и вишеканално скенирање, временско узорковање, преглед листе, квазистатички ЦВ (користећи СМУ), директну контролу и ГУИ за произвољно генерисање линеарног таласног облика (АЛВГ) за ХВ-СПГУ.

● Опциони, интегрисани модул капацитивности подржава ЦВ мерења до 5 МХз

● Опциона решења ЦВ-ИВ за пребацивање заснована на позиционеру доступна су са резолуцијом мерења напона 0.5 µВ и могућношћу резолуције мерења струје од 10 фА, 1 фА или 0,1 фА

● Једноставна аутоматизација тестирања са уграђеним полуаутоматским драјверима за сондирање плочица и секвенцирањем тестирања без програмирања преко режима брзог тестирања

● Опциони високонапонски полупроводнички генератор импулса (ХВ-СПГУ) доступан са 10 нс програмабилним ширинама импулса и плус /- 40 В (80 В од врха до врха) излаза.

● Опциони генератор таласног облика/јединица за брзо мерење (ВГФМУ) доступан са АЛВГ и брзим мерама струје или напона.

● 10 нс импулсно ИВ решење је доступно за карактеризацију хигх-к гејта диелектрика и СОИ (силицијум на изолатору) транзистора.

● Доступан је класични режим тестирања да би се обезбедио изглед, осећај и терминологија интерфејса 4155/4156 док истовремено побољшава интеракцију корисника тако што ће у потпуности искористити предности Мицрософт® Виндовс® ГУИ функција

Кључне спецификације Кеисигхт Б1500А (Агилент) полупроводничког анализатора уређаја укључују:

● Опште карактеристике

о Инструмент заснован на рачунару са оперативним системом Виндовс® КСП Профессионал

о Једноструко решење за струјни напон (ИВ), капацитивност-напон (ЦВ), генерисање импулса, брзо ИВ и мерење у временском домену.

о Десет слотова за модуле за изворне јединице монитора (СМУ) и друге типове модула (МФЦМУ, ХВ-СПГУ и ВГФМУ) *

о Офлајн анализа података и развој тестова апликација преко Десктоп ЕасиЕКСПЕРТ софтвера

● Могућности мерења

о Подржава мерење струјног напона (ИВ) до 0.1фА и 0.5µВ

о Подржава и квазистатичко и средњефреквентно мерење капацитивног напона (ЦВ)]

о Подржава прецизно брзо ИВ и мерење временског домена за широк спектар примена као што су пулсно ИВ, НБТИ и РТС мерење.

о Подржава генерисање импулса високог напона (до ±40 В) за тестирање велике снаге и меморијских уређаја.

 

Водич за избор модула:

Модул Маин	Слотс	Спецификација
Б1510А ХПСМУ	2	До 200В, 1А сила. 10фА тренутна резолуција
Б1511А МПСМУ	1	До 100В, 100мА сила, 10фА струјна резолуција
Б1517А ХРСМУ	1	До 100В, 100мА сила, 1фА резолуција струје
Е5288А АСУ	НА	До 100В, 100мА сила, 100аА струјна резолуција
Б1520А МФЦМУ	1	1кХз до 5МХз, до 100В ДЦ биас са СМУ
Б1525А ХВ-СПГУ	1	Минимална ширина импулса 12,5 нс, време преласка 10 нс, до 40 В са 3 нивоа пу
Б1530А ВГФМУ	1	Минимална ширина импулса од 100 нс, 10 В излаз од врха до врха, брзина узорковања мерења струје или напона 5 нс

 

 

Popularne oznake: б1500а агилент анализатор параметара полупроводничких уређаја / мејнфрејм система за карактеризацију полупроводника, Кина б1500а анализатор параметара полупроводничких уређаја агилент / произвођачи главног рачунара система за карактеризацију полупроводника